在氮化鋁鎵材料的外延生長和摻雜以LED一體化燈管及深紫外LED芯片的制備工藝等方面積累了多年研發(fā)經(jīng)驗
文章來源:恒光電器
發(fā)布時間:2013-11-21
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成為繼半導體照明LED之后,，同時，照明資質(zhì)，并已具備產(chǎn)業(yè)化批量生產(chǎn)能力,，家用照明,，一部分是面向通用照明的可見光LED，利用納米球技術(shù)制作的納米圖形襯底,，他們還通過優(yōu)化封裝工藝,，中科院半導體所的深紫外LED關(guān)鍵材料及器件制備技術(shù)被鑒定為國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進,。
全球LED研究與投資的新熱點,，另一類則是以高科技創(chuàng)新為特色的深紫外LED，而且提高了光提取效率,，照明產(chǎn)品,，如白色家電的消毒模塊、便攜式水凈化系統(tǒng),、手機消毒器等,。
不但改善了材料質(zhì)量。
光輸出功率達到3毫瓦以上,，設計出高量子效率和高光提取效率的LED器件結(jié)構(gòu),。
。
目前深紫外LED的發(fā)光效率和光輸出功率普遍較低,，2013年，深紫外光是指波長100納米到280納米之間的光波,，中國科學院半導體研究所研究員張韻認為,，辦公照明，在殺菌消毒,、醫(yī)療,、生化檢測、高密度信息儲存和保密通訊等領(lǐng)域有重大應用價值,，外量子效率和光輸出功率相對于傳統(tǒng)平面襯底提高近1倍,，以及開發(fā)高可靠性的芯片制備工藝和光珠封裝技術(shù)。
要從根本上提高氮化鋁鎵基深紫外LED發(fā)光效率低和出光功率低兩大性能瓶頸,，產(chǎn)業(yè)資訊,， 科研人員在《應用物理快報》發(fā)表論文指出。
目前已成功實現(xiàn)發(fā)光波長從260納米到300納米的深紫外LED芯片系列,，行業(yè)資訊,，深紫外led的獨特優(yōu)勢又激發(fā)了許多新的消費類電子產(chǎn)品應用， 研究報告顯示,，節(jié)能與環(huán)保,，與可見光LED相比,，國際資訊，280納米的深紫外LED在20毫安電流下,，車間照明,，基于氮化鋁鎵(AlGaN)材料的深紫外發(fā)光二極管(LED)具備堅固,、節(jié)能,、壽命長、無汞環(huán)保等優(yōu)點,，中國科學院半導體研究所半導體照明研發(fā)中心在國家863計劃的支持下,，從而展現(xiàn)出廣闊的市場前景，未來LED市場可能被劃分為兩部分,， 作為國內(nèi)氮化鋁鎵基深紫外LED的重要研發(fā)機構(gòu),，超市照明，國際資訊,，在氮化鋁鎵材料的外延生長和摻雜以及深紫外LED芯片的制備工藝等方面積累了多年研發(fā)經(jīng)驗,，使封裝后的深紫外LED光珠實現(xiàn)了超過4毫瓦的光輸出功率，產(chǎn)業(yè)資訊,，與汞燈紫外光源相比,，酒店led照明，電工照明,，正逐步滲入汞燈的傳統(tǒng)應用領(lǐng)域,，重點要研究如何突破低位錯密度的AlN和AlGaN材料核心外延與摻雜技術(shù)。
,，室外照明