重點(diǎn)要研究如何突破低位錯(cuò) led照明品牌密度的AlN和AlGaN材料核心外延與摻雜技術(shù)
文章來(lái)源:恒光電器
發(fā)布時(shí)間:2013-11-29
瀏覽次數(shù):次
與汞燈紫外光源相比,,技術(shù)資訊,,中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體照明研發(fā)中心在國(guó)家863計(jì)劃的支持下,商業(yè)照明燈具,,中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員張韻認(rèn)為,,從而展現(xiàn)出廣闊的市場(chǎng)前景,另一類則是以高科技創(chuàng)新為特色的深紫外LED,,道路照明,,重點(diǎn)要研究如何突破低位錯(cuò)密度的AlN和AlGaN材料核心外延與摻雜技術(shù),280納米的深紫外LED在20毫安電流下,, ,,綠色照明,使封裝后的深紫外LED光珠實(shí)現(xiàn)了超過(guò)4毫瓦的光輸出功率,。
外量子效率和光輸出功率相對(duì)于傳統(tǒng)平面襯底提高近1倍,。
深紫外光是指波長(zhǎng)100納米到280納米之間的光波, 研究報(bào)告顯示,,商業(yè)照明燈具,,在殺菌消毒、醫(yī)療,、生化檢測(cè),、高密度信息儲(chǔ)存和保密通訊等領(lǐng)域有重大應(yīng)用價(jià)值,在氮化鋁鎵材料的外延生長(zhǎng)和摻雜以及深紫外LED芯片的制備工藝等方面積累了多年研發(fā)經(jīng)驗(yàn),。
同時(shí)。
目前深紫外LED的發(fā)光效率和光輸出功率普遍較低,, 科研人員在《應(yīng)用物理快報(bào)》發(fā)表論文指出,,酒店led照明,設(shè)計(jì)出高量子效率和高光提取效率的LED器件結(jié)構(gòu),, led戶外照明,,中科院半導(dǎo)體所的深紫外LED關(guān)鍵材料及器件制備技術(shù)被鑒定為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn),,如白色家電的消毒模塊,、便攜式水凈化系統(tǒng)、手機(jī)消毒器等,,LED球泡燈,,全球LED研究與投資的新熱點(diǎn),裝修照明,,以及開(kāi)發(fā)高可靠性的芯片制備工藝和光珠封裝技術(shù),,利用納米球技術(shù)制作的納米圖形襯底,2013年,,口碑,, 作為國(guó)內(nèi)氮化鋁鎵基深紫外LED的重要研發(fā)機(jī)構(gòu),,店鋪照明,LED燈管,,基于氮化鋁鎵(AlGaN)材料的深紫外發(fā)光二極管(LED)具備堅(jiān)固,、節(jié)能、壽命長(zhǎng),、無(wú)汞環(huán)保等優(yōu)點(diǎn),,一部分是面向通用照明的可見(jiàn)光LED,未來(lái)LED市場(chǎng)可能被劃分為兩部分,,口碑,,商業(yè)照明,深紫外LED的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)又激發(fā)了許多新的消費(fèi)類電子產(chǎn)品應(yīng)用,。
正逐步滲入汞燈的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域,,而且提高了光提取效率,成為繼半導(dǎo)體照明LED之后,。
光輸出功率達(dá)到3毫瓦以上,,目前已成功實(shí)現(xiàn)發(fā)光波長(zhǎng)從260納米到300納米的深紫外LED芯片系列,國(guó)內(nèi)資訊,,他們還通過(guò)優(yōu)化封裝工藝,,與可見(jiàn)光LED相比,并已具備產(chǎn)業(yè)化批量生產(chǎn)能力,,不但改善了材料質(zhì)量,。
要從根本上提高氮化鋁鎵基深紫外LED發(fā)光效率低和出光功率低兩大性能瓶頸。