硅襯底LED技術(shù)榮獲國(guó)家技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)
文章來(lái)源:恒光電器
發(fā)布時(shí)間:2016-01-11
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1月8日，國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)在北京人民大會(huì)堂隆重舉行，國(guó)際資訊，車(chē)間照明，辦公照明，產(chǎn)業(yè)資訊，由南昌大學(xué)、晶能光電(江西)有限公司、中節(jié)能晶和照明有限公司共同完成的“硅襯底高光效氮化鎵基藍(lán)色發(fā)光二極管項(xiàng)目”榮獲國(guó)家技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)。項(xiàng)目主要完成人包括晶能光電聯(lián)合創(chuàng)始人、南昌大學(xué)副校長(zhǎng)江風(fēng)益教授，晶能光電副總裁孫錢(qián)博士，晶能光電聯(lián)合創(chuàng)始人、CEO及晶和照明創(chuàng)始人王敏博士等人。
在半導(dǎo)體照明領(lǐng)域存在三條LED技術(shù)路線(xiàn)，分別是藍(lán)寶石襯底、碳化硅襯底和硅襯底LED技術(shù)路線(xiàn)。其中，ROSH認(rèn)證，前兩條技術(shù)路線(xiàn)分別是以日本和美國(guó)為主發(fā)展起來(lái)的， led服裝照明，藍(lán)寶石襯底技術(shù)的三位主要發(fā)明人獲得了2014年度諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng);碳化硅襯底LED技術(shù)的發(fā)明人獲得了2003年美國(guó)總統(tǒng)技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)。
據(jù)介紹，國(guó)家技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)判定標(biāo)準(zhǔn)為：屬?lài)?guó)內(nèi)外首創(chuàng)的重大技術(shù)發(fā)明或創(chuàng)新，技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)達(dá)到了同類(lèi)技術(shù)領(lǐng)先水平，且推動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)進(jìn)步且已產(chǎn)生顯著的經(jīng)濟(jì)或者社會(huì)效益。
硅襯底LED技術(shù)從南昌大學(xué)誕生，晶能光電投巨資持續(xù)研發(fā)并產(chǎn)業(yè)化，并經(jīng)晶和照明等眾多企業(yè)應(yīng)用推廣，綠色照明，已經(jīng)從實(shí)驗(yàn)室走向市場(chǎng)。此次硅襯底LED項(xiàng)目脫穎而出，成為2015年度唯一一個(gè)國(guó)家技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)，這是國(guó)家層面對(duì)該技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用的高度肯定。
硅襯底具有良好的導(dǎo)熱性，且具有原材料成本低廉，晶圓尺寸大等優(yōu)點(diǎn)。在硅襯底上制備氮化鎵基LED一直是業(yè)界夢(mèng)寐以求的事情。然而由于硅和氮化鎵這兩種材料巨大的晶格失配和熱失配導(dǎo)致的外延膜龜裂、晶體質(zhì)量差，CCC認(rèn)證，以及襯底不透明導(dǎo)致的出光效率低等問(wèn)題長(zhǎng)期未能解決，致使業(yè)界普遍認(rèn)為，在硅襯底上制備高光效氮化鎵基LED是不可能的。
項(xiàng)目主要完成人之一——江風(fēng)益教授
以江風(fēng)益教授為首的研發(fā)團(tuán)隊(duì)率先攻克這些世界性難題，在南昌大學(xué)實(shí)驗(yàn)室研發(fā)出具有原創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的硅襯底LED技術(shù)。2006年，該技術(shù)獲得金沙江等知名創(chuàng)投的A輪投資，由江風(fēng)益教授和王敏博士聯(lián)合創(chuàng)立晶能光電，專(zhuān)注于硅襯底LED技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化。
歷經(jīng)十年艱苦，后又陸續(xù)獲得新加坡淡馬錫牽頭的B輪融資、國(guó)際金融公司(IFC)牽頭的C輪融資以及亞太資源牽頭的D輪融資支持;又在金沙江等投資人的共同努力下，引進(jìn)趙漢民博士、孫錢(qián)博士等多名優(yōu)秀海歸共同奮斗，照明方案，晶能光電率先于全球成功實(shí)現(xiàn)硅襯底LED技術(shù)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。
2014年8月美國(guó)能源部《固態(tài)照明研究與發(fā)展制造藍(lán)圖 (Manufacturing Roadmap：Solid-State Lighting Research and Development)》報(bào)告中寫(xiě)道：“晶能光電是硅襯底LED技術(shù)的最早實(shí)踐者，恒光，并在 2012 年 6 月開(kāi)始量產(chǎn)硅襯底氮化鎵LED芯片”。這是國(guó)際上對(duì)晶能光電在硅襯底LED技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化方面領(lǐng)跑的肯定。
作為全球硅襯底LED技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，晶能光電用短短十年時(shí)間將一項(xiàng)實(shí)驗(yàn)室技術(shù)發(fā)展成為全球第三條藍(lán)光LED技術(shù)路線(xiàn)，照明資質(zhì)，完成全球硅襯底LED專(zhuān)利布局。目前，圍繞該項(xiàng)目已申請(qǐng)專(zhuān)利330多項(xiàng)，已授權(quán)專(zhuān)利147項(xiàng)，高質(zhì)量，其中授權(quán)國(guó)際專(zhuān)利47項(xiàng)。這些專(zhuān)利將是構(gòu)建中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)池的基石，對(duì)我國(guó)的LED產(chǎn)業(yè)格局和產(chǎn)業(yè)安全將產(chǎn)生重大的影響。
據(jù)晶能光電孫錢(qián)博士介紹，硅襯底LED技術(shù)仍有巨大的發(fā)展空間，可望獲得大尺寸外延片，以便結(jié)合集成電路6寸和8寸的裝備以及成熟的產(chǎn)線(xiàn)組織和管理經(jīng)驗(yàn)，進(jìn)行大規(guī)模自動(dòng)化制造，從而提高生產(chǎn)效率，技術(shù)資訊，使LED產(chǎn)品綜合成本進(jìn)一步大幅度降低，這或?qū)⒂绊懭騆ED行業(yè)，改變競(jìng)爭(zhēng)格局。
江風(fēng)益教授進(jìn)一步展望：“基于藍(lán)光LED加熒光粉的照明技術(shù)路線(xiàn)，產(chǎn)業(yè)資訊，還只是一種過(guò)渡性技術(shù)方案。我們正努力攻關(guān)硅襯底黃光、綠光LED技術(shù)，將使無(wú)需熒光粉的LED照明技術(shù)成為現(xiàn)實(shí)。”
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