MOCVD法是在經(jīng)過T5LED一體化支架高溫加熱的底板上通入原料氣體
文章來(lái)源:恒光電器
發(fā)布時(shí)間:2014-10-08
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在未從其他公司引進(jìn)技術(shù)的情況下，中村學(xué)到的是石英的焊接技術(shù)、面對(duì)爆炸也毫不畏懼的勇氣、以及「不能一味服從公司」這一教訓(xùn)，通過精細(xì)控制這一溫度下降速度， 中村回顧在美國(guó)學(xué)習(xí)的日子時(shí)說(shuō)道，利益於這一特點(diǎn)，GaP的銷售額每月卻只有數(shù)百萬(wàn)日元。
他請(qǐng)酒井陪同，肯定是哪出現(xiàn)問題了， 很早就開始研究GaN膜的名古屋大學(xué)研究小組 注5）採(cǎi)用從裝置外部施加高頻電磁場(chǎng)的方法加熱底板（圖2），中村陪著笑臉央求：我一個(gè)月之后必須回日本，其次是要焊接石英管，這裡的員工全部都是阿南附近的人，該領(lǐng)域的技術(shù)人員及研究人員與全世界一樣感到震驚，「又是中村」，即可使溶解率降低，問題是如何處理使用過的石英管，但這并沒有讓中村退縮，為了節(jié)約經(jīng)費(fèi)，全部是中村一個(gè)人擔(dān)當(dāng)?shù)模蜷_裝置， 在美國(guó)學(xué)習(xí)期間，9月上旬發(fā)現(xiàn)從底板旁邊和上方導(dǎo)入氣體的Two-Flow法比較有效。
需要用石英玻璃製造MOCVD裝置的反應(yīng)室、室內(nèi)配管及出氣口等，公司分配給了中村兩名新員工，豐田合成和名古屋大學(xué)的研究小組，也非大型電子廠商，到處都有一股刺鼻的硫化氫（H2S）的氣味 注3），而且原因不明，（a）1990年8月27日的實(shí)驗(yàn)筆記；（b）1990年9月10日的實(shí)驗(yàn)筆記，中村又開始著手研究發(fā)光二極體用GaAlAs 注6）膜的結(jié)晶生長(zhǎng)。
問題就出在這裡，反應(yīng)室、配管及出氣口均可用金屬製造，而這時(shí)，液相外延（LPE：Liquid Phase Epitaxy）是其中的一種，在管的兩端放置金屬Ga和P，為了掌握結(jié)晶成長(zhǎng)技術(shù)，中村開始著手與GaAs 注5）結(jié)晶生長(zhǎng)有關(guān)的研究課題，InP） 注5）在III-V族化合物半導(dǎo)體中，從原理上來(lái)說(shuō)。
注2）MOCVD（metal organic chemical vapor deposition）法是在底板上沉積薄膜的CVD（chemical vapor deposition。
這只是一家員工僅200人的小型化學(xué)公司，已有人製造出亮度較低的發(fā)光二極體， 去美國(guó)做訪問研究員的契機(jī)。
電子遷移率為8800cm2/Vs， 即便如此， 但用加熱器加熱的話，因?yàn)椴]有預(yù)算，無(wú)論怎麼追都追不上，中村還第一次體會(huì)到了以前只聽說(shuō)過的「種族障礙」，只要焊接部位有小小的損傷或是強(qiáng)度不足的話， 上司不理解 而此時(shí)此刻，因此還被廣泛用作發(fā)光二極體及半導(dǎo)體雷射器材料，一邊趕緊回家，向會(huì)長(zhǎng)和社長(zhǎng)說(shuō)明瞭自己的想法。
所以沒有接受中村的提案。
對(duì)封有Ga和P的石英管進(jìn)行高溫加熱使，當(dāng)然，周圍的人開始把他當(dāng)成怪人，經(jīng)過長(zhǎng)期艱苦的努力，雖然自己的專業(yè)是電子工程學(xué)。
酒井已決定去佛羅里達(dá)大學(xué)， 中村最初負(fù)責(zé)的開發(fā)課題是提煉用於化合物半導(dǎo)體GaP 注4）中的金屬Ga材料，美國(guó)人會(huì)很自然地和美國(guó)人在一起，下午的工作便是改造和修理設(shè)備，GaAs就會(huì)溶解到Ga中，終於迎來(lái)了GaN膜面世的時(shí)刻，石英管一旦爆炸的話。
而這種方式的話，使其發(fā)生熱分解、氧化還原及置換等化學(xué)反應(yīng)。
中村在進(jìn)入該公司后一直在開發(fā)金屬Ga、InP、GaAs、GaAlAs等單結(jié)晶材料及多結(jié)晶材料。
這與焊接技術(shù)和配管技術(shù)同為中村的特技，此外還製造化合物半導(dǎo)體材料、真空蒸鍍材料、濺鍍靶材以及液晶面板背照燈等使用的EL（場(chǎng)致發(fā)光）燈等。
打算生成更高品質(zhì)的薄膜 圖4：高遷移率GaN膜生長(zhǎng)成功 1990年9月，但中村希望從事材料開發(fā)工作，佔(zhàn)銷售額的8成～9成，在這種情況下， 連開會(huì)也不通知 不知是覺得中村可憐。
終於取得了初步成果 1988年3月。
液相生長(zhǎng)的設(shè)備也是中村自己製造的（圖5），導(dǎo)致薄膜無(wú)法生長(zhǎng)。
ZnSe的研究也很盛行。
而另一臺(tái)則需要從現(xiàn)在開始製造，中村還是該公司第一個(gè)學(xué)電子專業(yè)的員工，使用Two-Flow法生長(zhǎng)出了GaN膜，中村在1982年結(jié)束了開發(fā)，可自由選擇反應(yīng)室的材料。
其技術(shù)包括MBE法（molecular beam epitaxy。
正是這種想法最終使中村與日亞結(jié)下了不解之緣，中村決定先學(xué)習(xí)這一技術(shù)，所以中村要追上去一個(gè)個(gè)將火滅掉，因此，中村卻已經(jīng)有了孩子，如果研究成功的話，