1803~2014,，LED燈編年史

文章來源:恒光電器

發(fā)布時間:2013-12-06

瀏覽次數(shù):次

LED（全稱：Light-Emitting Diode,，發(fā)光二極管） 是一種能發(fā)光的半導(dǎo)體電子元件。這種電子元件早期只能發(fā)出低光度的紅光,，ROSH認(rèn)證,，之后發(fā)展出其他單色光的版本，時至今日能發(fā)出的光已遍及可見光,、紅外線及紫外線,，光度也提高到相當(dāng)?shù)墓舛取ｋS著技術(shù)的不斷進(jìn)步,，LED已被廣泛的應(yīng)用于顯示器,、電視機(jī)采光裝飾和照明等領(lǐng)域。在市場需求與技術(shù)進(jìn)步的推動之下,，LED經(jīng)歷了一段輝煌的歷史,。在此，LEDinside小編與您共同回顧LED發(fā)展歷程,。

1907年,，Henry Joseph Round發(fā)現(xiàn)作為研磨劑的碳化硅晶體（SiC）通電后可以發(fā)光的現(xiàn)象。這種現(xiàn)象被發(fā)現(xiàn)之后,，人們就對SiC和Ⅱ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體的礦物質(zhì)發(fā)光現(xiàn)象展開研究,。

1936年， led商業(yè)照明,，George Destiau出版了一個關(guān)于硫化鋅粉未來發(fā)光的報告,。隨著研究的深入，最終出現(xiàn)了“電致發(fā)光”這個術(shù)語。

1952年,，節(jié)能與環(huán)保,，人工合成的Ge、Si 晶體的pn結(jié)發(fā)光誕生,。1954年,，LED天花燈，開始制作,、研究GaP單晶和GaAs單晶的性能,。

1955年，美國無線電公司（Radio Corporation of America）的魯賓布朗石泰（Rubin Braunstein）首次發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）及其他半導(dǎo)體合金的紅外放射作用,。

1962年,，酒店led照明，GE,、Monsanto,、IBM 的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室開發(fā)出了發(fā)紅光的磷砷化鎵（GaAsP）半導(dǎo)體化合物，從此可見發(fā)光二極管步入了商業(yè)化的發(fā)展歷程,。

1965年,，全球第一款商業(yè)化發(fā)光二級管誕生，它是用鍺材料做成的可發(fā)出紅外光的LED,，當(dāng)時的單價約為45美元,。其后不久，Monsanto和惠普公司推出了用GaAsp材料制作的商業(yè)化紅色LED,。這種LED的效率大約為0.1 lm/w，LED球泡燈,，比一般的60-100w白織燈的15 lm/w要低100多倍,。

1968年，LED的研發(fā)取得了突破性進(jìn)展,，利用氮摻雜工藝使GaAsP器件的效率達(dá)到了1 lm/w,，并且能夠發(fā)出紅光、橙光和黃光,。1971,，業(yè)界又推出了具有相同效率的GaP綠色芯片LED。

1993年,，在日本日亞化工（Nichia）工作的中村修二成功把氮滲入,，發(fā)明了基于寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）和銦氮化稼（InGaN）的具有商業(yè)應(yīng)用價值的藍(lán)光LED，這類LED在1990年代后期得到廣泛應(yīng)用,。

1997年,，商業(yè)照明，Schlotter和Nakamura等人先后發(fā)明了用藍(lán)光管芯加黃光熒光粉封裝成白光LED的技術(shù)。

繼氮化鎵LED之后,，科學(xué)界隨即又制造出能產(chǎn)生高強(qiáng)度綠光和藍(lán)光的銦氮鎵LED,。超亮度藍(lán)光芯片是白光LED的核心，在這個發(fā)光芯片上抹上熒光粉,，然后熒光粉通過吸收來自芯片的藍(lán)色光源再轉(zhuǎn)化為白光,。利用這種技術(shù)能制造出任何可見顏色的光。

2001年,，Kafmann等人用UV LED激發(fā)三基色熒光粉得到白光LED,。

2002年，在市場上開始有5W的LED的出現(xiàn),，而其效率大約是每瓦18至22流明,。

2003年9月，CREE, Inc.公司展示了其新款的藍(lán)光LED,，在20mW下效率達(dá)35%,。他們亦制造了一款達(dá)65 lm/W（流明每瓦）的白光LED商品，這是當(dāng)時市場上最亮的白光LED,。2005年他們展示了一款白光LED原型,，在350mW下，創(chuàng)下了每瓦70 lm 的記錄性效率,。

[1] [2]  下一頁